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SI2301BDS-T1-BE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:
Equivalente paramétrico
Equivalente paramétrico
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SI2301BDS-T1-BE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SI2301BDS-T1-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI2301BDS-T1-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI2301BDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2301BDS-T1-BE3 |
Descripción | P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 20 V 2.2 A (Ta) 700mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 2.5V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 100mOhm a 2.8A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 950mV a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 375 pF @ 6 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 700mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Obsoleto
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México