Name: SI2312CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2312CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.57 USD
Availability: OutOfStock

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SI2312CDS-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI2312CDS-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2312CDS-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2312CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2312CDS-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	31.8mOhm a 5A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	865 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SI2312

SI2312CDS-T1-GE3