SI2333DS-T1-GE3
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SI2316DS-T1-E3

N.º de producto de DigiKey
SI2316DS-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR)
SI2316DS-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT)
SI2316DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SI2316DS-T1-E3
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 2.9 A (Ta) 700mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2.9 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
50mOhm a 3.4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
800mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
215 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SI2316
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.79000$1.79
10$1.13700$11.37
100$0.76320$76.32
500$0.60308$301.54
1,000$0.55158$551.58
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3,000$0.48619$1,458.57
6,000$0.45329$2,719.74
9,000$0.45000$4,050.00
Paquete estándar del fabricante