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SI2318DS-T1-E3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SI2318DS-T1-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI2318DS-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2318DS-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2318DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2318DS-T1-E3 |
Descripción | MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 40 V 3 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI2318DS-T1-E3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 45mOhm a 3.9A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 540 pF @ 20 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 750mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
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