Name: SI2399DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2399DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.59 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SI2399DS-T1-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SI2399DS-T1-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI2399DS-T1-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI2399DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI2399DS-T1-BE3
Descripción	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 5.1A (Ta), 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5.1A (Ta), 6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	34mOhm a 5.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	835 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3