SI3443BDV-T1-E3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

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SI3443BDV-T1-E3
N.º de producto de DigiKey	SI3443BDV-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3443BDV-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3443BDV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI3443BDV-T1-E3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3.6 A (Ta) 1.1W (Ta) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.6 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	60mOhm a 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	SI3443