
SI4532CDY-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4532CDY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 6 A, 4.3 A 2.78W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4532CDY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Canal N y P | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 6 A, 4.3 A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 47mOhm a 3.5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 9nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 305pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 2.78W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $1.06000 | $1.06 |
10 | $0.66500 | $6.65 |
100 | $0.43530 | $43.53 |
500 | $0.33634 | $168.17 |
1,000 | $0.30447 | $304.47 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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2,500 | $0.26940 | $673.50 |
5,000 | $0.24859 | $1,242.95 |
7,500 | $0.23772 | $1,782.90 |
12,500 | $0.22917 | $2,864.62 |