
SI4564DY-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4564DY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 40V 10 A, 9.2 A 3.1W, 3.2W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4564DY-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Canal N y P | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 10 A, 9.2 A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 17.5mOhm a 8A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 31nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 855pF a 20V | |
Potencia - Máx. | 3.1W, 3.2W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $1.81000 | $1.81 |
10 | $1.23000 | $12.30 |
100 | $0.82930 | $82.93 |
500 | $0.65758 | $328.79 |
1,000 | $0.61200 | $612.00 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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2,500 | $0.54256 | $1,356.40 |
5,000 | $0.50562 | $2,528.10 |
7,500 | $0.50000 | $3,750.00 |