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SI4816BDY-T1-E3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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SI4816BDY-T1-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4816BDY-T1-E3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 5.8 A, 8.2 A 1W, 1.25W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4816BDY-T1-E3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | 2 canales N (medio puente) | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 5.8 A, 8.2 A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 18.5mOhm a 6.8A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10nC a 5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | |
Potencia - Máx. | 1W, 1.25W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.37000 | $2.37 |
| 10 | $1.50200 | $15.02 |
| 100 | $1.03680 | $103.68 |
| 500 | $0.82974 | $414.87 |
| 1,000 | $0.81090 | $810.90 |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.69110 | $1,727.75 |
| 5,000 | $0.68069 | $3,403.45 |
México