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SI4925DDY-T1-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4925DDY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 30V 8A 5W Montaje en superficie 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4925DDY-T1-GE3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal P (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 8A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 29mOhm a 7.3A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 50nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1350pF a 15V | |
Potencia - Máx. | 5W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.51000 | $1.51 |
| 10 | $0.95500 | $9.55 |
| 100 | $0.63540 | $63.54 |
| 500 | $0.49838 | $249.19 |
| 1,000 | $0.45429 | $454.29 |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.40656 | $1,016.40 |
| 5,000 | $0.37706 | $1,885.30 |
| 7,500 | $0.36203 | $2,715.23 |
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