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Renesas Electronics Corporation
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Precio por unidad : $2.50000
Hoja de datos
SIR401DP-T1-GE3
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SI7370ADP-T1-GE3

N.º de producto de DigiKey
SI7370ADP-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
SI7370ADP-T1-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) PowerPAK® SO-8
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2850 pF @ 30 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
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