Name: SI7956DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7956DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.64 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SI7956DP-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI7956DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI7956DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI7956DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI7956DP-T1-GE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 150V 2.6A 1.4W Montaje en superficie PowerPAK® SO-8 Dual
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.6A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	105mOhm a 4.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	26nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	-
Potencia - Máx.	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base	SI7956