Name: SI8802DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8802DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.58 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SI8802DB-T2-E1
N.º de producto de DigiKey	SI8802DB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI8802DB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT) SI8802DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI8802DB-T2-E1
Descripción	MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 8 V 3 A (Ta) 500mW (Ta) 4-Microfoot
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SI8802DB-T2-E1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	8 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.2V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	54mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	700mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±5V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	4-Microfoot
Paquete / Caja (carcasa)	4-XFBGA
Número de producto base	SI8802