SIAA02DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | Productos de semiconductores discretos

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SIAA02DJ-T1-GE3
Número de pieza de DigiKey	742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIAA02DJ-T1-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) PowerPAK® SC-70-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SIAA02DJ-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	22A (Ta), 52A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	4.7mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+12V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1250 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® SC-70-6
Número de producto base	SIAA02