
SIHD186N60EF-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIHD186N60EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD186N60EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 19A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 201mOhm a 9.5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 32 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1118 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 156W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $3.37000 | $3.37 |
50 | $1.60640 | $80.32 |
100 | $1.56060 | $156.06 |
500 | $1.38624 | $693.12 |