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SIHD2N80E-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHD2N80E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD2N80E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD2N80E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 2.8A (Tc) 62.5W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 800 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 2.75Ohm a 1A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 19.6 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 315 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 62.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.97000 | $1.97 |
| 10 | $1.25400 | $12.54 |
| 100 | $0.85260 | $85.26 |
| 500 | $0.69644 | $348.22 |
| 1,000 | $0.61491 | $614.91 |
| 3,000 | $0.54541 | $1,636.23 |
| 6,000 | $0.52613 | $3,156.78 |
México