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SIHD9N60E-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
SIHD9N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD9N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD9N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 15 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 9A (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 368mOhm a 4.5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 52 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 778 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 78W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.20000 | $2.20 |
| 10 | $1.59100 | $15.91 |
| 100 | $1.19560 | $119.56 |
| 500 | $0.95692 | $478.46 |
| 1,000 | $0.88231 | $882.31 |
| 3,000 | $0.78764 | $2,362.92 |
| 6,000 | $0.78625 | $4,717.50 |
México