SIHFB20N50K-E3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

SIHFB20N50K-E3
N.º de producto de DigiKey	SIHFB20N50K-E3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHFB20N50K-E3
Descripción	MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) TO-220AB
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	250mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2870 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	280W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3
Número de producto base	SIHFB20