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SIHD5N80AE-GE3
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SIHFR9220-GE3

N.º de producto de DigiKey
742-SIHFR9220-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SIHFR9220-GE3
Descripción
MOSFET P-CHANNEL 200V
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 200 V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) TO-252AA
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Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
3.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.5Ohm a 2.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
340 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
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10$0.76900$7.69
100$0.50660$50.66
500$0.39378$196.89
1,000$0.35745$357.45
3,000$0.34010$1,020.30
6,000$0.28807$1,728.42
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