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SIHG33N65EF-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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SIHG33N65EF-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHG33N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHG33N65EF-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC |
Plazo estándar del fabricante | 20 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 31.6 A (Tc) 313W (Tc) TO-247AC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 109mOhm a 16.5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 171 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4026 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 313W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AC | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.24000 | $7.24 |
| 25 | $5.22360 | $130.59 |
| 100 | $4.67460 | $467.46 |
| 500 | $3.53940 | $1,769.70 |
México