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SIJ482DP-T1-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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SIJ482DP-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIJ482DP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIJ482DP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIJ482DP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIJ482DP-T1-GE3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 6.2mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.7V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 71 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2425 pF @ 40 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 5W (Ta), 69.4W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.81000 | $1.81 |
| 10 | $1.36700 | $13.67 |
| 100 | $1.11180 | $111.18 |
| 500 | $0.89432 | $447.16 |
| 1,000 | $0.88740 | $887.40 |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.74774 | $2,243.22 |
| 6,000 | $0.74186 | $4,451.16 |
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