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SIS892ADN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SIS892ADN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS892ADN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS892ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS892ADN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 28A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIS892ADN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 33mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 19.5 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 550 pF @ 50 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.27000 | $1.27 |
| 10 | $0.89700 | $8.97 |
| 100 | $0.67860 | $67.86 |
| 500 | $0.53370 | $266.85 |
| 1,000 | $0.48707 | $487.07 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.42786 | $1,283.58 |
| 6,000 | $0.39806 | $2,388.36 |
| 9,000 | $0.38750 | $3,487.50 |












