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SIS990DN-T1-GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.
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SIS990DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIS990DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIS990DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 |
Plazo estándar del fabricante | 28 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 100V 12.1A 25W Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8 Dual |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIS990DN-T1-GE3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Dos canal N (doble) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 12.1A | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 85mOhm a 8A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 8nC a 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 250pF a 50V | |
Potencia - Máx. | 25W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
Número de producto base |
0 en stock
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $1.13000 | $1.13 |
| 10 | $0.76000 | $7.60 |
| 100 | $0.57630 | $57.63 |
| 500 | $0.47124 | $235.62 |
| 1,000 | $0.41274 | $412.74 |
Cinta y rollo (TR)
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.33250 | $997.50 |
México