Name: SISS4409DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS4409DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.65 USD
Availability: OutOfStock

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SISS4409DN-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SISS4409DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SISS4409DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SISS4409DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SISS4409DN-T1-GE3
Descripción	P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 17.2A (Ta), 59.2A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) PowerPAK® 1212-8S
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SISS4409DN-T1-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17.2A (Ta), 59.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5670 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8S