Name: SQ1470AEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.65 USD
Availability: OutOfStock

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SQ1470AEH-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ1470AEH-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ1470AEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ1470AEH-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 1.7A (Tc) 3.3W (Tc) SC-70-6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQ1470AEH-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1.7A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	65mOhm a 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.2 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	450 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-70-6
Paquete / Caja (carcasa)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base	SQ1470