Name: SQ2315ES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ2315ES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.44 USD
Availability: OutOfStock

SQ2315ES-T1_GE3 está sin stock y se puede solicitar como pedido pendiente.

Reemplazos disponibles:

Directo

Vishay Siliconix

En stock: 0

Precio por unidad : $0.45000

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SQ2315ES-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ2315ES-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ2315ES-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ2315ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ2315ES-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 12 V 5A (Tc) 2W (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Última compra
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	12 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	50mOhm a 3.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	870 pF @ 4 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	SQ2315