SQ3481EV-T1_GE3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

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SQ3481EV-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ3481EV-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ3481EV-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ3481EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ3481EV-T1_GE3
Descripción	MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 7.5A (Tc) 4W (Tc) 6-TSOP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	43mOhm a 5.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	870 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-TSOP
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Número de producto base	SQ3481