Name: SQ4920EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4920EY-T1_BE3TR-ND
Price: 2.38 USD
Availability: OutOfStock

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SQ4920EY-T1_BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SQ4920EY-T1_BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SQ4920EY-T1_BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SQ4920EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ4920EY-T1_BE3
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 30V 8A (Tc) 4.4W (Tc) Montaje en superficie 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Dos canal N (doble)
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Tc)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14.5mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1465pF a 15V
Potencia - Máx.	4.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SQ4920