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Canal N Montaje en superficie 60 V 320mA (Tc) 500mW (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
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SQ7002K-T1-GE3

Número de pieza de DigiKey
SQ7002K-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SQ7002K-T1-GE3
Descripción
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 60 V 320mA (Tc) 500mW (Tc) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
320mA (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.3Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
1.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
24 pF @ 30 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
500mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Uso automotriz
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
SQ7002
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