Name: SQS484ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS484ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.18 USD
Availability: InStock

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SQS484ENW-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQS484ENW-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQS484ENW-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQS484ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQS484ENW-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Plazo estándar del fabricante	27 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQS484ENW-T1_GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1800 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja (carcasa)	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SQS484