SUD23N06-31-BE3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

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Vishay Siliconix

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Precio por unidad : $1.20000

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SUD23N06-31-BE3
N.º de producto de DigiKey	742-SUD23N06-31-BE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SUD23N06-31-BE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SUD23N06-31-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUD23N06-31-BE3
Descripción	MOSFET N-CH 60V 9.1A/21.4A DPAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 9.1A (Ta), 21.4A (Tc) 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.1A (Ta), 21.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	31mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	670 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	SUD23