Name: SUM60020E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM60020E-GE3TR-ND
Price: 3.67 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

SUM60020E-GE3
N.º de producto de DigiKey	SUM60020E-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SUM60020E-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SUM60020E-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SUM60020E-GE3
Descripción	MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Plazo estándar del fabricante	24 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SUM60020E-GE3 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	150A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.1mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	227 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	10680 pF @ 40 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SUM60020