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C2M0280120D es obsoleto y ya no se fabrica.
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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.
C2M0280120D | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | C2M0280120D-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | C2M0280120D |
Descripción | SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) TO-247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 370mOhm a 6A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.8V a 1.25mA (típico) | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 20.4 nC @ 20 V | |
Vgs (máx.) | +25V, -10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 259 pF @ 1000 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 62.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
México