Name: CDFG6558N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDFG6558NTR13PBFREETR-ND
Price: 10.88 USD
Availability: OutOfStock

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

CDFG6558N TR13 PBFREE
N.º de producto de DigiKey	1514-CDFG6558NTR13PBFREETR-ND - Cinta y rollo (TR) 1514-CDFG6558NTR13PBFREECT-ND - Cinta cortada (CT) 1514-CDFG6558NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Central Semiconductor Corp
Número de pieza del fabricante	CDFG6558N TR13 PBFREE
Descripción	GANFET N-CH 650V 29A 8DFN
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 29A (Tc) 1.1W (Ta), 188W (Tc) 8-DFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Central Semiconductor Corp
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	29A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 8A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 30.7mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.2 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	225 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-VDFN