Name: DMG3415U-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UDITR-ND
Price: 0.45 USD
Availability: OutOfStock

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DMG3415U-7
N.º de producto de DigiKey	DMG3415UDITR-ND - Cinta y rollo (TR) DMG3415UDICT-ND - Cinta cortada (CT) DMG3415UDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMG3415U-7
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 4 A (Ta) 900mW (Ta) SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	DMG3415U-7 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Diodes Incorporated
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	39mOhm a 4A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	294 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	DMG3415