Name: IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND
Price: 5.51 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IGL65R080D2XUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IGL65R080D2XUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IGL65R080D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IGL65R080D2XUMA1
Descripción	IGL65R080D2XUMA1
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 650 V 18A (Tc) 81W (Tc) PG-TSON-8-U06
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	18A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	-
Rds On (máx) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx) a Id	1.6V a 1.8mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.3 nC @ 3 V
Vgs (máx.)	-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	240 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TSON-8-U06
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-TDFN