Name: CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND
Price: 5.68 USD
Availability: OutOfStock

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CDF56G6517N TR13 PBFREE
N.º de producto de DigiKey	1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND - Cinta y rollo (TR) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREECT-ND - Cinta cortada (CT) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Central Semiconductor Corp
Número de pieza del fabricante	CDF56G6517N TR13 PBFREE
Descripción	650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 650 V 17A (Tc) 1.1W (Ta), 113W (Tc) 8-DFN (5x6)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	CDF56G6517N TR13 PBFREE Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Central Semiconductor Corp
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	17A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	140mOhm a 5A, 6V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 17.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	3.5 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -1.4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	125 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta), 113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie, lateral humedecible
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN