Name: IMT65R015M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Price: 17.07 USD
Availability: OutOfStock

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IMT65R015M2HXUMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMT65R015M2HXUMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMT65R015M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® 448-IMT65R015M2HXUMA1TR-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMT65R015M2HXUMA1
Descripción	SILICON CARBIDE MOSFET
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 131A (Tc) 535W (Tc) PG-HSOF-8-2
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Embalaje	Cinta cortada (CT) Digi-Reel® Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	SiC (Transistor de conexión de carburo de silicio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	131A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V, 20V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	13.2mOhm a 64.2A, 20V
Vgs(th) (máx) a Id	5.6V a 13mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	79 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2792 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	535W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-2
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerSFN

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$17.07000	$17.07
10	$12.10700	$121.07
100	$11.28250	$1,128.25

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de $7.00.

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,000	$9.21775	$18,435.50

Paquete estándar del fabricante

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