
IMTA65R026M2HXTMA1 | |
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N.º de producto de DigiKey | 448-IMTA65R026M2HXTMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IMTA65R026M2HXTMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IMTA65R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMTA65R026M2HXTMA1 |
Descripción | SILICON CARBIDE MOSFET |
Plazo estándar del fabricante | 23 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 79A (Tc) 357W (Tc) PG-LHSOF-4-1 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V, 20V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 24mOhm a 34.5A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.6V a 7mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 42 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1499 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 357W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-LHSOF-4-1 | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $12.36000 | $12.36 |
10 | $8.60900 | $86.09 |
100 | $7.43180 | $743.18 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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2,000 | $6.07175 | $12,143.50 |