Name: IPB80N06S4L07ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N06S4L07ATMA2TR-ND
Price: 1.68 USD
Availability: OutOfStock

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IPB80N06S4L07ATMA2
N.º de producto de DigiKey	448-IPB80N06S4L07ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB80N06S4L07ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB80N06S4L07ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB80N06S4L07ATMA2
Descripción	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	9 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB80N06S4L07ATMA2 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.7mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.2V a 40µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5680 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IPB80N

IPB80N06S4L07ATMA2