Name: IXTA110N055T2
Brand: IXYS
SKU: IXTA110N055T2-ND
Price: 3.97 USD
Availability: OutOfStock

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IXTA110N055T2
N.º de producto de DigiKey	IXTA110N055T2-ND
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTA110N055T2
Descripción	MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Plazo estándar del fabricante	25 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 55 V 110A (Tc) 180W (Tc) TO-263AA
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	IXYS
Serie	TrenchT2™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	110A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.6mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3060 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AA
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IXTA110

IXTA110N055T2