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STH110N7F6-2

N.º de producto de DigiKey
STH110N7F6-2-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante
STH110N7F6-2
Descripción
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) H2PAK-2
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
STH110N7F6-2 Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
STMicroelectronics
Serie
STripFET™ F6
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
68 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6.3mOhm a 55A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5850 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
H2PAK-2
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base
STH110
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