Name: IRF3808STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3808STRLPBFTR-ND
Price: 3.57 USD
Availability: OutOfStock

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IRF3808STRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRF3808STRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRF3808STRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRF3808STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF3808STRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 75 V 106A (Tc) 200W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRF3808STRLPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	75 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	106A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7mOhm a 82A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	5310 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRF3808

IRF3808STRLPBF