IRF8113TRPBF es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
En stock: 6,000
Precio por unidad : $1.49000
Hoja de datos

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $0.00000
Hoja de datos

Similar


Diodes Incorporated
En stock: 0
Precio por unidad : $0.41000
Hoja de datos

Similar


Rohm Semiconductor
En stock: 0
Precio por unidad : $1.19000
Hoja de datos
Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRF8113TRPBF

N.º de producto de DigiKey
IRF8113PBFTR-ND - Cinta y rollo (TR)
IRF8113PBFCT-ND - Cinta cortada (CT)
IRF8113PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IRF8113TRPBF
Descripción
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 17.2 A (Ta) 2.5W (Ta) 8-SO
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IRF8113TRPBF Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5.6mOhm a 17.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2910 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsoleto
Este producto ya no se fabrica. Ver Reemplazos o Tipos de paquetes alternativos.