Name: RS3E095BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E095BNGZETBTR-ND
Price: 1.19 USD
Availability: OutOfStock

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RS3E095BNGZETB
N.º de producto de DigiKey	RS3E095BNGZETBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS3E095BNGZETBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS3E095BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS3E095BNGZETB
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 9.5 A (Ta) 2W (Tc) 8-SOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS3E095BNGZETB Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	14.6mOhm a 9.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	680 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	RS3E