Name: SQ4410EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4410EY-T1_GE3TR-ND
Price: 1.63 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

SQ4410EY-T1_GE3
N.º de producto de DigiKey	SQ4410EY-T1_GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SQ4410EY-T1_GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SQ4410EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SQ4410EY-T1_GE3
Descripción	MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 15 A (Tc) 5W (Tc) 8-SOIC
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SQ4410EY-T1_GE3 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	15 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2385 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Número de producto base	SQ4410

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.58875	$1,471.88
5,000	$0.55000	$2,750.00

SQ4410EY-T1_GE3