Name: IRFR3411TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFR3411TRPBFTR-ND
Price: 1.36 USD
Availability: OutOfStock

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IRFR3411TRPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFR3411TRPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFR3411TRPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFR3411TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFR3411TRPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 32A (Tc) 130W (Tc) TO-252AA (DPAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFR3411TRPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	32A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	44mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1960 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA (DPAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Número de producto base	IRFR3411

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,000	$0.55076	$1,101.52
4,000	$0.50568	$2,022.72

IRFR3411TRPBF