IRFS4228PBF Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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Imagen solo a efectos ilustrativos. Para obtener especificaciones exactas, visite la hoja de datos del producto.

IRFS4228PBF
N.º de producto de DigiKey	IRFS4228PBF-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFS4228PBF
Descripción	MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 83 A (Tc) 330W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	83 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15mOhm a 33A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	107 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4530 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB