Name: IRFS4310ZTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFS4310ZTRLPBFTR-ND
Price: 2.89 USD
Availability: OutOfStock

¿Necesita ayuda?

Comentarios

Información sobre DigiKey Marketplace Vender en DigiKey.com Mapa del sitio Soluciones digitales Sala De Prensa

Ayuda y soporte Estado del pedido Opciones/tarifas de envío Devoluciones e inconvenientes con pedidos

Chat 800-351-0126 spanish.support@digikey.com Conavegar

IRFS4310ZTRLPBF
N.º de producto de DigiKey	IRFS4310ZTRLPBFTR-ND - Cinta y rollo (TR) IRFS4310ZTRLPBFCT-ND - Cinta cortada (CT) IRFS4310ZTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRFS4310ZTRLPBF
Descripción	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) D2PAK
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IRFS4310ZTRLPBF Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	120A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6mOhm a 75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 150µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6860 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	IRFS4310

IRFS4310ZTRLPBF