Name: STB100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14527-2-ND
Price: 3.55 USD
Availability: OutOfStock

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STB100N10F7
N.º de producto de DigiKey	497-14527-2-ND - Cinta y rollo (TR) 497-14527-1-ND - Cinta cortada (CT) 497-14527-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	STB100N10F7
Descripción	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	STB100N10F7 Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8mOhm a 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	4369 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	STB100

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,000	$1.20360	$1,203.60
2,000	$1.14300	$2,286.00

STB100N10F7